МШУ на 144 и 432 мГц на GaAs FET транзисторах АП344А-2

Детали:

R 1 – 10 ом Са – 1/8 пф D 1, D 2 – DL 4148

R 2, R 4 – 330 ом Ct - 1/8 пф D 3 – 1 N 4148

R 3 – 18 ом С1,С3,С5 – 10 пф Q 1 – АП344А-2

P 1, P 2 – 200 ом С2,С4,С6,С7,С8,С10,С11– 470 пф МС1 – 78 L 06

С9,С12– 1 мкф/35 вольт, эл-литич. Rel 1 – РЭС80, паспорт 01

С13 – 1000 пф, проходной Dr 1 – 1 мкГ

Трансформатор Т1 наматывается на колечке 4.5 х 4.5 х 1.5 из материала М 30 ВН одновременно двумя проводами ПЭВ2, диаметром 0.2 мм. Количество витков – 2.

Выражаю огромную благодарность Владимиру Мусолишвили ( RA3ABZ ) и Дмитрию Дмитриеву ( RA3AQ ) за оказанную неоценимую помощь.

Литература: (1) - D . Dobricic . BF981 Helix 2m Low Noise Preamplifier.

(2) - D. Dobricic. Unconditionally Stable Low Noise GaAs FET Preamplifier

(3) – D. Dobricic. Pre-amplifier – Pros and Cons.